TRANSISTOR RJP30H1 SURFACE
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TRANSISTOR RJP30H1 SURFACE
Caractéristiques
Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
Low leak current: ICES = 1A max.
